Productes: part 3

Cristall KTP

L'arsenat de titani de potassi (KTiOAsO4), o cristall KTA, és un excel·lent cristall òptic no lineal per a l'aplicació d'oscil·lació paramètrica òptica (OPO).Té millors coeficients òptics i electro-òptics no lineals, una absorció significativament reduïda a la regió de 2,0-5,0 µm, ample de banda angular i de temperatura, constants dielèctriques baixes.
Cr2+: ZnSe

Els absorbents saturables Cr²+:ZnSe (SA) són materials ideals per a commutadors Q passius de làsers d'estat sòlid i de fibra segura per als ulls que operen en el rang espectral d'1,5-2,1 μm.
Cristall de ZnTe

El tellurur de zinc és un compost químic binari amb la fórmula ZnTe.DIEN TECH fabrica un cristall de ZnTe amb eix de cristall <110>, que és un material ideal aplicat per garantir un pols de freqüència de terahertz mitjançant un procés òptic no lineal anomenat rectificació òptica mitjançant pols de llum d'alta intensitat de subpicosegon.Els elements de ZnTe que proporciona DIEN TECH estan lliures de dos defectes.
Fe:ZnSe/Fe:ZnS

Fe²+:ZnSe Els absorbents saturables (SA) de seleniur de zinc dopat amb Ferrum són materials ideals per a commutadors Q passius de làsers d'estat sòlid que operen en el rang espectral de 2,5-4,0 μm.
Cistes PPKTP

El fosfat de titanil de potassi polsat periòdicament (PPKTP) és un cristall ferroelèctric no lineal amb una estructura única que facilita la conversió de freqüència eficient mitjançant la concordança quasi-fase (QPM).
Cristall HgGa2S4

Els alts valors del llindar de dany del làser i l'eficiència de conversió permeten utilitzar Mercuri Thiogallate HgGa₂S₄(HGS) cristalls no lineals per a la duplicació de freqüència i OPO/OPA en el rang de longitud d'ona d'1,0 a 10 µm.Es va establir que l'eficiència SHG del CO₂radiació làser per a 4 mm de longitud HgGa₂S₄L'element és al voltant del 10% (durada del pols 30 ns, densitat de potència de radiació 60 MW/cm²).L'alta eficiència de conversió i l'ampli rang d'ajust de la longitud d'ona de radiació permet esperar que aquest material pugui competir amb AgGaS₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂i cristalls de GaSe malgrat la considerable dificultat del procés de creixement de cristalls de gran mida.